一:工艺信息
1、工艺名称 |
WB70 |
2、工艺类型 |
Bipolar |
3、工作电压 |
60V |
4、特征尺寸 |
2um |
5、金属布线 |
双层 |
6、总光刻/最少光刻层数 |
14/9 |
7、主要工艺特征 |
NPN、LPNP、SPNP、二极管、高值注入电阻、以及SIN电容等器件 |
8、应用方向 |
电源、放大器、驱动器、基准 |
二:器件参数
器件名称 |
器件类型 |
主要电参数 |
hvndc111y8 |
npn |
beta=60-250Bvceo≥70Vft=400MHZ |
hvlpgpbc10 |
低硼LPNP |
beta≥50Bvceo≥70Vft=5MHZ |
hvspgpb111y8 |
衬底PNP |
beta≥20Bvceo≥70Vft≥5MHZ |
deb9x9 |
EB二极管 |
V=6.5-7.5V |
dzpc8x8 |
齐纳二极管 |
V=5.7-6.3V |
rpb |
基区电阻 |
Rs=145--175 |
rpc |
高硼电阻 |
Rs=30--50 |
Rir |
注入电阻 |
Rs=1800--2200 |