一:工艺信息
1、工艺名称 |
WC40S |
2、工艺类型 |
Bipolar |
3、工作电压 |
36V |
4、特征尺寸 |
4um |
5、金属布线 |
双层 |
6、总光刻/最少光刻层数 |
26/15 |
7、主要工艺特征 |
NPN、VPNP、PJFET二极管、高值注入电阻、以及SIN电容等器件 |
8、应用方向 |
电源、放大器、驱动器、基准 |
二:器件参数
器件名称 |
器件类型 |
主要电参数 |
ndc111y10 |
npn |
beta=60-250Bvceo≥40Vft≥400MHZ |
vp111y10 |
VPNP |
beta=40-100Bvceo≥40Vft≥400MHZ |
pj100x10 |
PJFET |
Idss=50-200uA Vt=0.8-1.4V BVdss≥45V |
rpb |
P基区电阻 |
Rs=340--420 |
Rnb |
N基区电阻 |
Rs=260--360 |
rpc |
高硼电阻 |
Rs=40--60 |
Rir |
注入电阻 |
Rs=1800--2200 |
Rep |
POLY电阻 |
Rs=950--1250 |
Rcs |
CsSi电阻 |
Rs=850--1150 |