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解决方案

SOLUTION

一:工艺信息

1、工艺名称

WC40S

2、工艺类型

Bipolar

3、工作电压

36V

4、特征尺寸

4um

5、金属布线

双层

6、总光刻/最少光刻层数

26/15

7、主要工艺特征

NPN、VPNP、PJFET二极管、高值注入电阻、以及SIN电容等器件

8、应用方向

电源、放大器、驱动器、基准

二:器件参数

器件名称

器件类型

主要电参数

ndc111y10

npn

beta=60-250Bvceo≥40Vft≥400MHZ

vp111y10

VPNP

beta=40-100Bvceo≥40Vft≥400MHZ

pj100x10

PJFET

Idss=50-200uA        Vt=0.8-1.4V          BVdss≥45V

rpb

P基区电阻

Rs=340--420

Rnb

N基区电阻

Rs=260--360

rpc

高硼电阻

Rs=40--60

Rir

注入电阻

Rs=1800--2200

Rep

POLY电阻

Rs=950--1250

Rcs

CsSi电阻

Rs=850--1150

 

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