一:工艺信息
1、工艺名称 |
WB18 |
2、工艺类型 |
Bipolar |
3、工作电压 |
18V |
4、特征尺寸 |
4um |
5、金属布线 |
双层 |
6、总光刻/最少光刻层数 |
16/9 |
7、主要工艺特征 |
NPN、LPNP、SPNP、VPNP、二极管、高值注入电阻以及SIN电容等器件 |
8、应用方向 |
电源、放大器、驱动器、基准 |
二:器件参数
器件名称 |
器件类型 |
主要电参数 |
NDC111Y8 |
npn |
beta=100-250Bvceo≥18Vft=400MHZ |
LPPBC7 |
低硼LPNP |
beta=100-250Bvceo≥25Vft=5MHZ |
LPPBPCC7 |
高硼LPNP |
beta=200-500Bvceo≥25Vft=5MHZ |
SPPB111Y8 |
低硼SPNP |
beta=150-450Bvceo≥25Vft≥5MHZ |
SPPBPC111Y8 |
高硼SPNP |
beta=400-800Bvceo≥25Vft≥5MHZ |
DS8X32 |
肖特基二极管 |
BV≥25V |
deb |
EB二极管 |
V=6-7V |
DZPC10X32B |
齐纳二极管 |
V=5.4-6.2V |
rpb |
基区电阻 |
Rs=180--220 |
rpc |
高硼电阻 |
Rs=90--110 |
Rir |
注入电阻 |
Rs=1800--2200 |
CNIT100X50 |
SIN电容 |
C=4-6pF |